关键词:
锡酸锶
脉冲激光沉积
透明导电薄膜
掺杂
应力
PMN-PT
第一性原理
摘要:
透明导电氧化物(TCO)薄膜作为一类重要的功能材料,具有导电性好、在可见光范围内透过率高的特点,在太阳能电池、场效应晶体管等光电器件领域表现出广泛的应用价值。近年来,随着光电子器件的快速发展,以Sn掺InO(ITO)、Zn O和Sn O为代表的TCO已经不能够满足人们的需求。一方面,这类TCO材料存在热不稳定性、化学不稳定性等缺点;另一方面,钙钛矿氧化物结构简单稳定,具有丰富的物理性质,如铁电、压电、超导电、光电特性等。全钙钛矿型薄膜器件能够通过外延生长方式有效解决界面问题,使器件的性能得到提高,而常用TCO薄膜无法满足全钙钛矿光电子器件的发展。因此,钙钛矿TCO薄膜引起了人们的广泛关注。本论文使用脉冲激光沉积(PLD)技术在LaAlO(001)[LAO(001)]和0.70Pb(MgNb)O-0.30Pb Ti O(001)[PMN-PT(001)]单晶衬底上制备了外延SrSnO(SSO)透明导电薄膜,研究了掺杂、组分变化及应力对薄膜光学性质及电输运性质的影响。主要开展了以下工作:(1)采用PLD手段在LAO(001)衬底上分别制备了A位掺杂的(SmSr)Sn O(SSSO,x=0-0.15)和B位掺杂的Sr(SnNb)O(SSNO)透明导电外延薄膜,前者研究了不同Sm掺杂量取代A位Sr对薄膜结构、电输运和光学性质影响;后者固定Nb掺杂量取代B位Sn,通过改变沉积氧压和衬底温度调控薄膜的光、电性质。结果表明,室温下x=0.06组分的SSSO薄膜表现出5.91 mΩcm的最低电阻率和14.8cm/Vs的最高迁移率。随着Sm含量增至0.06,光学带隙从4.27逐渐增加至4.60 e V。在衬底和SSSO(x=0.06)薄膜之间插入纯SSO缓冲层,降低了界面位错密度,使薄膜的电输运性能得到进一步改善。接下来通过调控SSNO薄膜的生长条件发现随着氧压减小,薄膜的晶格常数逐渐增大并仍能保持外延特性。在780°C、0.2 Pa的条件下制备的SSNO薄膜具有31.3 mΩcm的室温电阻率和3.31 cm/Vs的霍尔迁移率,且其变温电阻率曲线显示出金属-半导体转变。随着氧压从20 Pa逐渐降低到1×10 Pa,薄膜的间接带隙从4.35 e V增加到4.90 e V,直接带隙从4.88 e V增加到5.29 e V。在600至1800 nm的波长范围内,所有SSSO和SSNO薄膜的光学透过率均超过70%。因此我们通过对SSO进行A、B位掺杂能够得到性能良好的透明导电薄膜。(2)利用PLD在LAO(001)衬底上外延生长了(LaBaSr)Sn O(LBSSO,x=0-0.95)薄膜,对薄膜组分相关的结构、电学和光学性质展开了研究。随着Ba含量从0增加到0.95,LBSSO薄膜的面外晶格常数从4.045增加到4.122(?),电子迁移率值从22.2逐渐增加至34.4 cm/Vs。同时薄膜的直接/间接光学带隙从4.64/4.04单调下降至4.05/3.40 e V。密度泛函理论计算结果表明,Ba对Sr的取代可以降低LBSSO的电子有效质量和光学带隙,从而导致更高的载流子迁移率。(3)通过PLD技术在PMN-PT(001)衬底上外延生长了不同厚度(20-500 nm)的(LaSr)Sn O(LSSO)薄膜,研究了应力变化对薄膜结构、光学和电输运性质的影响。发现薄膜在20-100 nm厚度范围内处于完全应变状态,而随着薄膜厚度进一步增加,面内压缩应力逐渐降低。高分辨率透射电镜证实了100 nm的LSSO单晶薄膜在PMN-PT(001)衬底上实现了外延生长。对于完全应变状态下的薄膜,随着厚度增加到100 nm,电输运性质得到了显著改善;当超过应变弛豫的临界厚度时,薄膜的电性能出现下降。在100 nm的薄膜中观察到最低的室温电阻率1.88mΩcm和最高的迁移率28.1 cm/Vs。LSSO薄膜在600至2000 nm波长范围内表现较高的光学透明性,通过椭偏仪测试分析发现随着薄膜厚度从20 nm增加到500nm,薄膜的光学带隙从4.58 e V增加到4.88 e V。对于100 nm的样品,通过逆压电效应在PMN-PT衬底上施加直流电压能够原位进一步增加薄膜的面内压缩应力,从而使薄膜的电阻略有增加。这些结果说明应变能够调节LSSO外延薄膜的电学性能和光学带隙。