关键词:
化学镀铜
乙二胺四乙酸二钠
沉积速率
添加剂
应力
摘要:
随着经济社会和数字化产业的迅速发展,以印制电路板为主的工业体系对半加成工艺提出了更高的要求。化学镀铜工艺作为半加成工艺中的关键步骤,不仅要求其生产出的印制电路板具有小型化、高传输率和高性能的特点,而且还要求生产流程简单易操作,可以满足工业化生产。本文基于以上要求,研究了化学镀铜工艺中添加剂对化学镀铜沉积速率、表面形貌和应力等的影响,获得了一种兼具较高沉积速率和较高质量镀铜膜的化学镀铜溶液。论文通过研究确定了以乙二胺四乙酸二钠为络合剂的化学镀铜体系,基础镀液的组成成分为:乙二胺四乙酸二钠(EDTA·2Na)30 g/L,五水硫酸铜(Cu SO4·5H2O)10 g/L,甲醛(CH2O)5 m L/L,溶液p H为12.5,通过实验确定化学镀铜温度为70℃。随后,本文研究了各类添加剂对化学镀铜沉积速率和铜膜质量的影响。首先对加速剂和稳定剂进行沉积速率和表面形貌的探究,实验发现在乙二胺四乙酸二钠体系的化学镀铜溶液中加入0.5 mg/L 2,6-二氨基吡啶沉积速率最高,可达到15.427μm/h,继续加入0.5 mg/L的2,2-联二吡啶时,发现二者有良好的协同作用,虽然沉积速率相比单一添加2,6-二氨基吡啶时有所下降,但依旧高于基础镀铜液的沉积速率,二者复合添加既提高了化学镀铜沉积速率又缩小了铜膜表面晶体的大小。为缓解化学镀铜膜氢脆现象,向镀铜溶液中加入了表面活性剂羟乙基磺酸钠,发现羟乙基磺酸钠可以与2,6-二氨基吡啶和2,2-联二吡啶形成良好的促进作用,使得反应所生成的氢气从铜膜表面脱落,降低了表面张力,缓解了氢脆现象,有利于化学镀铜质量的改善。在此基础上加入了消应力剂六水硫酸镍后,发现六水硫酸镍有改善镀铜膜质量、促进铜膜表面平整的作用,从而最终确定了乙二胺四乙酸二钠化学镀铜体系中各种添加剂的组分。通过线性伏安法对化学镀铜溶液进行电化学分析,从混合电位理论方面解释了各种添加剂复合添加对化学镀铜溶液的加速机理,发现添加剂是通过改变阳极氧化峰电流和阴极还原峰电流的大小来影响化学镀铜过程中的沉积速率。使用X-射线衍射(XRD)的方法对Cu(220)和Cu(311)两个晶面的铜膜进行应力测试,当六水硫酸镍浓度从0 mg/L增加到0.4 mg/L时,两个晶面均出现应力最小值,分别为-27.31 MPa和-27.16 MPa。使用原子力显微镜对化学铜膜表面粗糙度进行测试,发现六水硫酸镍的加入可以有效的降低铜膜表面的平均粗糙度(Ra),使得所镀铜层平整。本文最终获得的化学镀铜液组成为:乙二胺四乙酸二钠30 g/L,五水硫酸铜10 g/L,甲醛5 m L/L,0.5 mg/L 2,6-二氨基吡啶,0.5 mg/L 2,2-联二吡啶,0.4 mg/L羟乙基磺酸钠和4 mg/L六水硫酸镍,施镀温度为70℃,镀液p H为12.5。此化学镀铜溶液可获得高达12.87μm/h得化学镀铜沉积速率,所得镀层光亮、粉嫩,微观形貌平整、致密,同时兼具较低得应力和粗糙度。