关键词:
大尺寸衬底减薄
GaN
应力
缺陷陷阱
可靠性
散热
摘要:
氮化镓(GaN)功率器件具有更高的电子迁移率、高截止频率,因器件经常用于高频高压环境下,所以其器件的自热效应严重,进而可能对器件的可靠性造成影响。使用大尺寸(六寸)的衬底,一方面使得单个晶圆可制造的芯片数量增多,降低了芯片生产的成本,但需要更精密的研磨和抛光设备,对加工设备和技术要求更高;另一方面衬底减薄能够有效的降低器件热阻,增加器件的散热性能,但大尺寸衬底减薄也会使得样品应力位错和器件的电学性能受到影响。本文以六英寸硅衬底上外延制备的氮化镓肖特基二极管(Schottky Barrier Diode,SBD)为对象,研究衬底减薄对SBD性能的影响,文章研究的主要内容如下:
(1)利用化学机械研磨技术对六寸硅基GaN样品进行减薄,将衬底从1mm减薄到50μm。利用共聚焦拉曼显微镜进行测试,通过A1(LO)模声子峰发现减薄样品结晶质量下降,接着对GaN层进行深度扫描,扫描深度达到4.5μm,发现从表面到内部均受到残余压缩应力,且减薄后样品在外延层内部2~3μm缓冲层受到的压缩应力明显增大。然后利用XRD设备测试,发现减薄样品刃位错加剧;进一步利用AFM测试样品表明形貌,发现衬底减薄后样品表面粗糙度增加,结合TEM对减薄后样品外延层进行测试,发现整个外延层位错线条几乎连接一块,位错情况较为严重。这一结果可能造成材料内部缺陷陷阱的产生,使得载流子迁移率下降。
(2)利用瞬态电流法表征SBD缺陷陷阱,测试发现样品器件存在DP1、DP2、DP3、DP4四种陷阱,且减薄后50μm样品陷阱对应的时间常数谱峰位升高,代表衬底减薄导致器件陷阱密度增加,电学性能测试验证了减薄后器件输出饱和电流下降。接着测试计算样品在非状态高压应力时的导通电阻及势垒高度,发现减薄后50μm样品器件在施加非状态高压应力时导通电阻增大幅度要大于减薄前1mm样品器件,进一步表明衬底减薄导致器件缺陷陷阱密度增加,C-V测试表明衬底减薄使得器件势垒高度增加。然后对器件施加电应力使其老化,发现衬底减薄可以降低器件老化带来的饱和电流衰减,也可以减弱器件反向漏电恶化,这可能源于衬底减薄增加了器件散热性能,继而降低了器件自热效应,提升了器件可靠性。利用FloTHERM软件仿真衬底厚度分别为1mm和50μm圆形SBD,给定初始温度,在25℃自然环境对流下发现50μm样品散热效率要大于1mm样品,初步验证衬底减薄使得器件散热性能提升。
(3)根据SBD器件结构参数,利用ANSYS Icepak仿真器件在通电情况下热分布。改变衬底厚度,通过器件两端温度和热功率估算出衬底减薄能够有效降低器件热阻。接着搭建红外测温平台,对减薄前1mm样品和减薄后50μm样品SBD器件施加电流进行测温,对比仿真结果,证明衬底减薄能够有效降低器件在通电状态时的最高温度。