课程文献中心 更多>>

关键词： 稳态   PN结   一维模型   数值解  

摘要： 在半导体器件理论的基础上,对一维PN结器件模型的方程组进行线性化,并求出其数值解,为分析稳态条件下PN结器件一维模型提供了一种新的数值解法.

关键词： C2nH3   C2nH3   激发能   电离能  

摘要： 本文采用密度泛函理论(DFT-B3LYP),在6-31G*的水平上对C2nH3和C2nH+3(n=4,5,6,7)所有可能的几何构型进行了优化和振动频率的计算,进一步得到了C2nH3(n=4,5,6,7)最稳定构型的垂直和绝热电离能,并在这个水平上用含时的密度泛函理论(TD-B3LYP)计算它们的垂直激发能.结果表明中性分子和相对应的阳离子的基态构型几乎是一样的,具有聚炔烃线性链结构的C8H3和C12H3自由基及其他们的阳离子都具有30~60 cm-1的低频振动模式.通过激发能和电离能的研究发现C2nH3自由基(n=4,5,6,7)基态平衡几何结构的电离能较大,中性分子不易发生电子跃迁,而且不易失去一个电子变为阳离子,所以C2nH3自由基(n=4,5,6,7)基态平衡几何结构比相对应的阳离子要稳定.

关键词： 静电场能量   价电子   价电子能态   晶格势场   价电子在晶格势场中的电势能  

摘要： 利用凝聚态物理学方法研究了处于静电平衡状态的带电体周围空间静电场能量的来源问题,讨论了改变导体内价电子在晶格势场中电势能的方式,得出了改变价电子密度、加热和使导体载流等三种方式均可以改变价电子在晶格势场中电势能的结论。进一步分析了处于静电平衡状态的导体周围空间的静电场能量来源的问题,得出了静电场能量来源于导体内载流子在晶格势场中电势能变化量的结论。

关键词： 氧传感器   射频磁控溅射   PN结   金红石相  

摘要： 采用薄膜技术研制了一种以硅PN结结构为基底材料的TiO2氧传感器,阐述了该传感器的工作原理、结构设计、工艺流程及其特性。给出了磁控溅射工艺制备银电极及TiO2薄膜的方法,利用X射线衍射(XRD)标定了TiO2薄膜的金红石相晶体结构,通过扫描电镜(SEM)分析了薄膜的表面形貌及晶粒结构,讨论了TiO2的氧敏感机理,测试薄膜的敏感特性及响应特性。实验结果表明:硅PN结基底TiO2氧传感器具有工作温度低、低功耗、体积小、线性化好的优点。

关键词： 逸出功   自由电子   光子能量   原子   光学   电离能   高中   物理  

摘要： 笔者在给学生复习物理光学过程中，有一学生提出一个大胆的设想：逸出功与电离能是相等的。让我们首先看看学生的理由：某物质原子被一定频率的光照射时，电子吸收光子能量后克服核的束缚跑到物质外所需的最小能量值即为逸出功；而要将某原子电离成自由离子和自由电子同样是要一定的能量才能将电子与核分离开来。这不就是说电离能等于逸出功吗？

关键词： 原子基态   电子组态   次壳层   耦合  

摘要： 以能量最低原理、洪特定则和泡利不相容原理为依据,对原子基态的确定问题进行了研究,得到了公式法和图表法两种确定原子基态的方法.

关键词： pn结   晶体管结温   电流密度   结温均匀性   有效面积  

摘要： 晶体管在耗散功率时,结温分布一般不均匀.在晶体管子管并联模型的基础上,经过实验和理论模拟计算及验证发现结温分布不均匀时,高温区的电流密度大于低温区的电流密度;测试电流越小,高温区与低温区电流密度的比值越大,电流越集中在高温区,且集中区域的面积随着测试电流的减小而缩小,这种现象称为小电流过趋热效应.利用这一特性可以研究晶体管结温分布的不均匀性,计算结温分布的不均匀度,对半导体器件可靠性分析具有重要的意义.

关键词： PN结   Visual   Basic   最小二乘法   玻尔兹曼分布律  

摘要： 介绍了验证PN结伏安关系特性实验的实验原理,对实验测得的数据进行处理,给出了测量公式和最后结果数据,提供程序界面、源代码。

关键词： 核磁共振   黑体辐射   量子数   共振   角动量   磁矩  

摘要： 这是一篇关于高职高专物理学教材中量子论章节的教学体会,文章对教材中有关黑体辐射过程中原子振动的能量及核磁共振过程中原子核的能级等内容的编写提出了自己的看法.

关键词： 价电子组态   电离能   计算   相关性  

摘要： 从结构与物性关系的角度,按元素的价电子组态、核电荷数Z及周期数E定义了价电子组态参数iVe=(bsnsrs+bpnprp+ bdndrd+bfnfrf)(z+Σj=1i)a／Et(i=1-8)。元素的各级电离能(I1-I8)与其相应iVe值(I1对应于1Ve,I2对应于2Ve,…)通过模型Ii=fiiVewi+gi(fi、gi、wi为常数)进行关联。结果表明,价电子组态参数iVe(i=1-8)能以简单的方式突出元素的结构特征,元素的各级电离能与iVe间呈现高度的相关性(r1=0．9858,r2=0．9940,r3=0．9940,r4=0．9917,r5=0．9900,r6=0．9900 r7=0．9900,r8=0．9902),从而揭示了元素的电离能对其价电子组态及核电荷数的依赖关系。