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关键词： 双原子分子   重原子   稳定   超重元素   化学性质   原子轨道   价电子   基态  

摘要： 根据对尚未合成的超重元素化学性质的理论研究，元素126（E126）应当能很容易地与氟形成稳定的双原子分子。这种分子（E126F）的独特之处在于其中的一个原子含有一根g原子轨道，预测在原子的基态条件下将被价电子所占领。

关键词： 原子基态   电子组态   元素周期表   周期性   原子序数  

摘要： 对原子基态的周期性进行了研究。原子基态由电子组态确定,利用在元素周期表中同一族的元素具有相似的电结构的规律,使用列表的方法,可以确定当电子组态随原子序数Z的增加呈现周期性时,原子基态也随原子序数Z的增加呈现周期性。

关键词： PN结   环孔PN结   电容   碲镉汞  

摘要： 采用突变结近似,对反向偏置下碲镉汞(HgCdTe)环孔PN结耗尽区电容的计算方法进行了分析和讨论,给出了若干条件下的计算结果,表明与有关理论分析的结论是吻合的。

关键词： Nd(Fe,Si)11Cx化合物   (L)APW+1o方法   态密度   磁矩  

摘要： 采用基于第一原理的全势能线性缀加平面波加局域轨道((L)APW+lo)方法对Nd(Fe,Si)11Cx化合物(x=0,2)的电子结构进行了计算,得到了化合物态密度和磁矩等信息.计算结果表明NdFe9Si2化合物中Si原子主要与4b和32i位Fe原子产生杂化,导致Fe原子磁矩减小.NdFe9Si2C2化合物C原子使32i位Fe原子磁矩进一步降低,同时减弱了Si原子的影响,使得4b位Fe原子磁矩增大.

关键词： LED数码管   半导体   演示实验   桥式整流   发光二极管   应用   PN结   基本单元  

摘要： 半导体数码管（或称LED数码管）的基本单元是删结，目前较多采用磷砷化镓做成的PN结，当外加正向电压时，就能发出清晰的光线．发光二极管的工作电压为1．5—3V。工作电流为几毫安到十几毫安，寿命很长．单个PN结可以封装成发光二极管，多个PN结可以按分段式封装成半导体数码管，其管脚排列如图1所示．

关键词： MoSi2   WSi2   价电子   硬度   导电率  

摘要： 根据固体与分子经验电子理论,对MoSi2和WSi2的价电子结构进行了定量的分析,通过键距差方法计算了MoSi2和WSi2晶体中各键上的共价电子数．结果表明:在MoSi2和WSi2晶体中,沿<331>位向分布的Mo-Si和W-Si原子键最强,这些键上的共价电子数和键能分别影响化合物的硬度和熔点．晶体中晶格电子数影响其导电性和塑性, MoSi2晶体中含有较高密度的晶格电子,因此MoSi2的导电性和塑性比WSi2好．并从键络分布的不均匀性解释了MoSi2和WSi2脆性产生的原因．

关键词： 碲镉汞   pn结   少数载流子   寿命   脉冲光衰退  

摘要： 采用改进的光致开路电压衰退方法测量了不同组分Hg1-xCd，Te光伏探测器中光生少数载流子寿命。激发光源为脉冲YAG激光泵浦的光学参量产生器／放大器形成的可调谐红外脉冲激光器。为了减小结电容和串联电阻的影响，引入稳态背景光照明。用存储示波器记录pn结两端开路状态下的电压变化。从指数衰退的曲线经拟合得到开路电压的衰退时间常数，认为其反映了碲镉汞pn结中光生载流子的寿命。实验结果表明：四种组分的探测器在液氮温度下其少数载流子寿命值范围在18—407ns之间。

关键词： 位置敏感探测器(PSD)   近红外   pn结   光谱响应  

摘要： 建立一种新的Si基位置敏感探测器(PSD)光生电流理论模型,导出了PSD的光生电流、光谱灵敏度的表达式;研究了PSD光敏面各层厚度和SiO2薄膜厚度对PSD波长响应灵敏度的影响,认为p层的厚度主要影响PSD在短波段的响应度,而耗尽层对PSD的中长波响应有着很大的影响;设计并制造了二维近红外枕形PSD,对其进行实际测试,其光谱响应峰值波长为920 nm,灵敏度达到0.626 A/W。

关键词： PN结   正向压降   温度特性   数据采集  

摘要： 采用电热法把待测的PN结放置于温度可连续变化的热源中,利用精确的温度传感器进行温度测量,并利用计算机数据采集技术,直观地再现了PN结正向压降随温度线性变化的整个物理过程,提高了测量的精度.

关键词： C—V测量法   杂质浓度分布   pn结   势垒电容   离子注入  

摘要： 全面地介绍了pn结C-V测量法的基本原理、测试设备及条件。利用pn结反向偏压时的电容特性推导了有效杂质浓度随深度分布的计算公式及突变结和线性缓变结的1/(C2)-V和1/(C3)-V关系图。应用该原理计算、分析了IN5401整流二极管pn结的特性及杂质浓度的纵向分布。