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关键词： AlWn(n=1~9)团簇   几何结构   电离能   稳定性  

摘要： 采用密度泛函DFT中的B3LYP方法，对AlWn（n=1—9）团簇的几何结构，能级间隙，垂直电离能进行了计算，结果表明：当n≤3时，团簇为平面结构，当n≥4时，团簇出现空间立体结构，并以AlW3为骨架进行增长，其中AlW稳定性最好。

关键词： 选择性腐蚀   BOE溶液   PN结   硅纳米线  

摘要： 通过选择性离子注入，在硅片表面形成P区、N区紧密接触的PN结结构．实验发现，在黑暗条件下，PN结N型区域可被HF酸或BOE溶液选择性腐蚀；该腐蚀速率与HF酸溶液浓度有关，随环境温度升高而加快，腐蚀速率范围为0．25～3．5nm／min；腐蚀后硅片表面平整．对腐蚀机理进行了初步讨论．结合氧化硅蚀刻缓冲液（BOE溶液）氧化硅牺牲层腐蚀技术，发展出一套硅纳米线加工工艺；利用该工艺，加工出特征尺寸小于100nm的硅纳米线．

关键词： 探测深度   回线边长   场源频率   磁矩  

摘要： 质疑瞬变电磁法探测深度取决于场源磁矩(M=IL2)的强度,当电源能量一定时,改变回线边长就成为控制探测深度的有效措施;认为"大回线有大深度"、"小回线探测浅"等共识是不正确的,它是不计条件应用深度公式的误导。研究认为:瞬变电磁法的探测深度取决于场源含有的低频成分,基频越低,探测越深;磁矩只是决定探测结果的信噪比。

关键词： 6-甲基吲哚   共振多光子电离光谱   电离能  

摘要： 获得了6-甲基吲哚的单色共振多光子电离和双色共振多光子电离光谱,发现了在电子激发态的较强的CH3的转动谱线。根据理论计算对观察到的激发态光谱进行了标识,确定了更准确的电离能为60967±5cm-1。

关键词： 内光电效应   半导体   PN结   高中物理教学  

摘要： 本文对高中物理教材中的光电效应现象及规律部分的内容进行了探讨和补充，重点介绍了半导体的内光电效应中的PN结光伏效应及其在太阳电池等方面的应用。最后，作者还对在中学如何拓展物理知识、如何与大学教学衔接等教改中的问题提出了自己的想法和建议。

关键词： 烷烃   价电子能   生成焓   电离能   极化效应  

摘要： 根据化合物形成过程中价电子能量变化与生成焓之间的关系,推导出烷烃的生成焓和电离能之间的关系.以21个烷烃化合物为模型将实验测定的电离能与标准生成焓进行直接关联,证实了模型方程的适用性,所得回归方程的相关系数达到0.9999,估算值与实验值之间的标准偏差仅为0.03eV.同时还利用实验测定的标准生成焓对一系列烷烃的电离能作了预测.

关键词： 含噁二唑四枝化合物   pn结   分子内电荷转移   非线性吸收  

摘要： 选择噁二唑基团作为多枝化合物的“枝”,以苯甲腈基和咔唑基团为分子的“核”,合成了两个四枝化合物(BO-G2和NO-G2),进行了核磁共振和质谱的表征.从结构上看,BO-G2和NO-G2分别具有“D-A-A-’A-D”和“D-’A-D-A-D’”电荷转移特征,后者具有pn结.吸收光谱和荧光光谱证实,NO-G2具有较大的激发态和基态偶极矩差值,存在着明显的分子内电荷转移和非线性吸收.

关键词： 光谱项   电子组态   二次量子化  

摘要： 根据泡利不相容原理,费米子所满足的反对称波函数,用二次量子化的方法讨论(np)3电子组态的光谱项,并指出一些文献的错误之处。

关键词： 晶闸管(可控硅)   双向可控难   PN结  

摘要： 文章从阐述晶闸管的原理出发，介绍了它的主要性能参数，给出无线电工作者怎样快速的判别晶闸管的管脚电极，方便的检测其性能、判别管子好坏，以及晶闸管在无线电仪器、仪表中应用和维护。

关键词： 电离能   电子亲合能   离子   稳定   存在  

摘要： 本文根据电离能等实验数据,推断出各种无机离子在相应条件下都能稳定存在的结论。