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关键词： 含时密度泛函理论   电离能   重组能   吸收光谱   发射光谱  

摘要： 本文用量子化学方法系统研究了如下3个体系:(1)含五元杂环三苯胺类化合物;(2)主链含杂环的聚咔唑衍生物;(3)主链含五元杂环的聚噻吩衍生物。 首先,采用密度泛函理论(DFT)B3LYP方法,对N,N,N',N'-四苯基-1,1'-二苯基-2,2'-二呋喃-4,4'-二胺(FurylBz-Ph4)和N,N,N',N',N'',N''-六苯基-1,1'-二呋喃-4,4'-二胺(PFDA-Ph4)及化合物1-3在中性、阴离子态和阳离子态下分别进行几何结构优化计算。基于优化的几何结构,应用含时密度泛函理论(TD-DFT)计算了它们的光学性质。化合物1-3,FurylBz-Ph4和PFDA-Ph4的重组能与典型空穴传输材料N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-1,1'-二苯基-4,4'-二胺(TPD)相近。TD-DFT计算表明,化合物2的最大吸收峰相对PFDA-Ph4蓝移,而化合物3则相对PFDA-Ph4红移。 其次,采用密度泛函理论(DFT)B3LYP方法,对基于咔唑的共轭聚合物聚(2,7-N-正辛基咔唑)-交替-(1,4-二乙烯苯)(PBC),聚(2,7-N-正辛基咔唑)-交替-(2,5-二乙烯基噻吩)(PBT)和聚(2,7-N-正辛基咔唑)-交替-(2,5-二乙烯基呋喃)(PBF)在中性、阴离子态和阳离子态下分别进行几何结构优化计算。基于优化的几何结构,应用含时密度泛函理论(TD-DFT)计算了它们的光学性质。结果表明,与聚咔唑相比,三种聚合物都具有较好的共面性。由于主链中含有推电子基PBC,PBT和PBF最大吸收波长发生红移。 最后,采用密度泛函理论(DFT)B3LYP方法,对基于噻吩的共轭聚合物聚(2,5-噻吩)-交替-1,3,4-噁二唑)(PTO),聚(2,5-噻吩)-交替-(1,3,4-噻二唑)(PTTH)和聚(2,5-噻吩)-交替-(1-正丙基-1,3,4-噻二唑)(PTTR),在中性、阴离子态和阳离子态下分别进行几何结构优化计算。为获得包含电子相关的最低激发能,在优化基态几何的基础上进行TD-DFT(B3LYP/6-31G(d))计算。HOMO与LUMO能隙(ΔE)为最低空轨道和最高占据轨道的能量差(ΔE=ELUMO-EHOMO )。本文采用UB3LYP/6-31G(d)对阳离子和阴离子分子进行全优化,从而计算电离势(IP)和电子亲合能(Ea)。 本论文从理论上对一系列五元杂环化合物发光材料的电子结构和发光性能系统地进行了分析和研究。结果表明含时密度泛函理论结合密度泛函理论能够对杂环聚合物提供合理的几何结构和电子性质,并用于新的聚合物发光材料设计。

关键词： 难溶电解质   价电子   溶解平衡   平衡常数   杂化轨道   新课标高考   最外层电子数   电子排布式   溶度积常数   电离平衡   中心原子   元素符号  

摘要： 2009年按新课程标准大纲进行高考的省市增加到9个:山东、广东、海南、宁夏、辽宁、浙江、福建、安徽和天津,因此,对新课标高考的研究迫在眉睫。本文对新课标高考化学新增考点的内容进行了归纳,供参考。

关键词： 瞬态二极管   PN结   横向设计   纵向设计   平面工艺  

摘要： 瞬态二极管,是一种安全保护器件,这种器件大量应用在各种电路系统中,对电路中瞬间出现的浪涌电压脉冲起到分流、箝位的作用,当瞬态二极管两端经受瞬间的高能量或电脉冲冲击时,它能以极高的速度(达到或接近10×10-12秒)使其阻抗骤然降低,同时吸收一个大电流,将其两端间的电压箝位在一个预定的数值上,从而确保系统的安全运行和其它电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏,它主要用于电子设备的快速过压保护。本文对高灵敏瞬态二极管的理论基础、器件结构、版图和工艺设计等方面进行了分析讨论,并进行了初步的试验研究,为最终完成器件的研制积累了经验。

关键词： 光电二极管   CMOS   红光   PN结  

摘要： 集成电路飞速发展的今天,随着集成电路制造工艺水平的提升系统集成度越来越高,以往许多由多颗IC搭建的电路应用今天都有了单芯片解决方案。单芯片系统(SOC:System On a Chip)成为IC产业的热门方向,这些也反过来刺激促进了IC制造工艺的发展不断提出新的要求。本文讨论的就是将光电二极管集成到普通CMOS工艺中去。 在搭建工艺流程之前,本文首先在理论上找出了光电二极管的模型。根据产品的需求,该光电二极管必须对红光敏感,并且对响应时间和噪声有一定的要求。从这几点入手,根据光电二极管的模型大致定出了所用衬底、PN结深等工艺条件。 然后,根据大致的工艺条件和最复杂的器件结构,先搭建了较复杂的工艺流程。经过流片,首先通过测试特殊的测试结构验证了给出的设计规格是合理的。其次,通过测试普通CMOS器件,证明普通CMOS器件性能良好,没有受光电二极管工艺影响。最后,通过测试光电二极管,证明简单的结构也满足设计要求。 最后,针对简单的结构对工艺进行简化化和改进,使原来需要增加5道光刻流程变为只增加一道光刻流程,大大降低了成本增加了该工艺的市场竞争力。通过FA的手段和分析找出了设计的错误和设计规则的不合理性,改正后流片成功。通过拉偏实验,进一步确认该工艺的工艺余量很大,工艺十分稳定,是一个价廉物美的工艺流成。

关键词： 成键电子对   电离能   晶体结构   价层电子   等电子体   几何构型   孤对电子   分子团  

关键词： Co24+离子   电离能   量子数亏损   振子强度  

摘要： 本文首先简要介绍了原子与分子物理学的发展状况,阐明了近年来对高离化原子,特别是对类锂原子体系的研究已成为原子结构研究的新领域。详细介绍了利用全实加关联方法（FCPC）处理类锂原子体系的中心思想及所取得的主要成就,并将FCPC方法的应用进一步扩展到处理核电荷数较大的类锂体系高激发态的能级结构和振子强度。具体计算了类锂Co24+离子1s2nl（l=s,p;n≤9）Rydberg序列的电离能,激发能和跃迁能。为了得到高精度的理论结果,还考虑了离子实修正和高角动量分波对能量的贡献。在计算能级精细结构劈裂时不仅考虑了自旋-轨道相互作用还计及了自旋-其它轨道相互作用及量子电动力学（QED）和高阶相对论效应的贡献。依据单通道量子亏损理论,确定了Co24+离子1s2nl（l=s,p;n≤9）这三个Rydberg序列的量子数亏损。利用量子数亏损作为输入,使用半经验方法很好的重复了FCPC方法的计算结果,并实现了对任意高激发态（n≥10）体系能量的可靠预言。最后用FCPC确定的波函数和跃迁能,计算了Co24+离子ls2ns-1s2np（n≤9）的振子强度,得到与现有实验数据符合得很好的结果,与量子亏损理论结合,将对该离子能量和振子强度的理论预言准确地外推到包括连续态的整个能域。

关键词： 热电偶   PN结   集成温度传感器   温度补偿  

摘要： 本文介绍了两种热电偶冷端温度补偿电路在物理实验测量中的应用及校准方法,对热电偶的工作原理、冷端温度补偿必要性作了说明,并详细介绍了冷端温度补偿过程.

关键词： 玻色系统   费米系统   泡利不相容原理  

摘要： 由于费米子受泡利不相容原理的限制,而玻色子则不受此限制,使费米系统与玻色系统遵循不同的统计规律,导致它们在高密度及低温度时的统计特性具有很大差异;但是,在满足经典极限条件时,两种系统都将遵从玻尔兹曼统计规律.

关键词： 半金属   Heusler合金   磁矩   电子结构  

摘要： 应用基于密度泛函理论(DFT)的投影扩充波函数(PAW)方法,分别在广义梯度近似GGA和GGA+U(在位库仑能)近似下,研究了Heusler合金化合物Co2YZ(Z=Si,Al,Ge,Ga)的晶体结构、电子结构和磁性等物理性质.发现Heusler合金Co2YSi在平衡晶格常数时显示了亚铁磁半金属性质,并且在一定程度的晶格常数变化范围内保持其半金属性质.另外Co原子的磁矩对局域环境具有很强的依赖关系,即Z位元素的变换很大程度影响Co原子的磁矩.

关键词： NiBen团簇   自旋多重度   磁矩   电子性质  

摘要： 采用密度泛函理论中的广义梯度近似对NiBen(n=2-12)团簇的几何构型进行优化,并对能量、频率和磁性进行了计算,同时考虑了电子的自旋多重度。结果表明:团簇的几何结构与自旋多重度有关,最低能量结构的自旋多重度是3和1;n≥4时,较强的p,d杂化导致团簇的磁矩淬灭;与Ben+1(n=2-12)团簇相比,NiBen(n=2-12)团簇的稳定性增强;能隙明显减小,化学活性增强,得出了掺杂Ni原子可以增强团簇稳定性和化学活性的结论;二阶能量差分表明,4,10是团簇的幻数。