课程文献中心 更多>>

关键词： 类氢离子   电离能   相对论性理论  

摘要： 给出了以相对论动力学方程取代牛顿力学方程而形成的相对论性玻尔类氢离子理论,在此基础上给出了类氢离子电离能的相对论性计算公式,对实验上已观测到的36个类氢离子的电离能进行了具体计算,计算结果与实验值的误差远小于玻尔理论或量子力学理论的误差.

关键词： 电子运动   实验观测   飞秒   分子轨道   化学反应   实时观测   量子态   价电子  

摘要： 化学反应是由分子轨道中价电子的动态触发的。这些运动一般在“亚飞秒“尺度上进行，此前一直无法进行实时观测．但现在”阿秒”（1阿秒等于10^-18秒）光谱学的发展使得对电子从一个量子态到另一个量子态的跃迁进行跟踪成为可能。

关键词： PN结   反向饱和电流   温度   指数分布  

摘要： 对PN结反向饱和电流进行了精确测量,研究了PN结反向饱和电流与温度之间的关系,证明此关系遵循指数分布规律。

关键词： 半导体材料   PN结   电子器件   集成电路   电子电路   制作材料   电子工业   晶体管  

摘要： 电子器件是电子电路的核心，电子器件的发展被分为三个历史阶段：电子管时代、晶体管时代和集成电路时代。晶体管和集成电路的制作材料都是半导体，如硅、锗、砷化镓等。半导体材料的特性很奇特，正是这些特性使它成为电子工业不可缺少的重要资源。所以，在介绍电子器件之前，我们必须先认识一下半导体。

关键词： 计算机辅助设计   硅太阳能电池   pn结   伏安特性  

摘要： 日益成熟的集成电路工艺与器件计算机辅助设计工具有助于缩短半导体工艺和器件的开发周期、降低开发成本,因而越来越被广泛应用。基于TCAD工具,给出了一种简单pn结太阳能电池的工艺过程,详细介绍了其短路电流、开路电压、填充因子以及转换效率等性能参数的仿真方法,并以p型衬底上单晶Si太阳能电池为例,分别讨论了其伏安特性、光谱特性、照度特性和温度特性。与实验方法相比较,基于TCAD的辅助设计方法对加快国内太阳能电池工艺的技术发展将起到积极的作用。

关键词： 电致发光,激发态   电离能   电子亲和势   含时密度泛函理论  

摘要： 蒽类化合物作为有机电致发光材料具有刚性结构、宽能隙和高荧光量子效率等优点,近年来引起了人们的广泛关注.本文通过量子化学计算系统的研究了一种新型的蒽类蓝光发光材料--2-叔丁基-9,10-二(三苯基乙烯基-4-苯基)蒽(TPVAn)的光学和电子结构性质.计算结果表明,TPVAn分子具有三维的非平面分子结构,这种结构可以降低分子间的相互作用以及激基缔合物的形成.电子的激发导致TPVAn分子中心蒽中各键键长发生变化.吸收光谱和发射光谱的理论计算值和实验值符合较好,分别为328.34nm和453.15nm,并且该分子荧光寿命较长,为15.9094ns.在电致发光器件应用上,TPVAn分子是一种具有开发前景和实用价值的蓝光发光材料.

关键词： 半导体二极管   特性   电子电路   半导体器件   单向导电性   PN结   封装  

摘要： 二极管是诞生最早的半导体器件之一，几乎在所有的电子电路中，都会用到半导体二极管。从本质上看，二极管就是一个PN结加上电极和外壳封装而成的。所以，单向导电性是它最重要的特性。电路中的二极管，电流只能从正极流向负极。

关键词： 类锂钒离子   电离能   振子强度  

摘要： 计算了类锂钒离子的激发态1s2nl(l=d,f;n≤9)的非相对论的电离能;将相对论效应和质量极化效应作为微扰,计算了它们对体系能量的修正;利用有效核电荷方法计算了电子的量子电动力学(QED)效应对电离势的贡献。用在FCPC中确定的波函数,计算了类锂钒离子1s2nd-1s2nf(n≤9)跃迁的振子强度。

关键词： 原子   屏蔽系数   电离能  

摘要： 考虑到离子的相对论效应,依据屏蔽方法,给出了原子第2、1壳层电子电离能的一种表达式.依据较轻元素原子低次(小于13)电离能实验数据,总结出原子(离子)电离第2、1壳层不同电子态电子时,相应的屏蔽系数与电子态及原子序数的函数关系,根据该函数关系,可求出相应原子的高次电离电子的屏蔽系数.计算了原子序数13至23的元素高电荷态离子基态电离能,计算结果与文献可提供的实验数据相符合.

关键词： 场效应管   低功耗   沟道   PN结   夹断  

摘要： 本文介绍了N MOSFET的物理结构特性以及导电沟道形成过程与本质.详细分析与说明N MOSFET的漏极电流iD与漏源电压uDS特性表达式以及N MOSFET的物理结构、材料特性和制造工艺等对于N MOSFET特性的影响.