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关键词： 第一性原理   电子结构   态密度   磁矩   半金属隙  

摘要： 采用第一性原理计算方法研究了c/a形变下FeNCN晶体的电子结构。结果表明在c/a形变下FeNCN晶体经历了半金属性到金属性的变化,当c/a不大于2.5时,FeNCN晶体表现为半金属性;当c/a大于2.5时,FeNCN晶体表现为金属性。Fe原子是晶体分子磁矩的最主要的贡献者,其自旋磁矩受c/a变化的影响程度较小。当FeNCN晶体表现为半金属性时,其分子磁矩能维持在稳定的整数值8.00μB;随着c/a的增加,分子磁矩逐渐减小。对c/a为2.3时FeNCN晶体电子结构的研究表明:此时自旋向上的子能带表现出间接带隙的半导体特征,晶体的半金属隙为0.11 eV。

关键词： 结构联系   第37题   新课程卷   全国高考   理综卷   概念   图示   价电子  

摘要： 题目 前四周期原子序 数依次增大的元素A、B、C、D中，A和B的价电子层中未成对电子均只有1个，并且A-和B＋的电子数相差为8；与B位于同一周期的C和D，

关键词： 磁性薄膜   磁矩   自旋波   层间交换耦合   各向异性  

摘要： 采用Heisenberg模型,利用线性自旋波近似和格林函数技术研究双层亚铁磁薄膜的磁矩,分析自旋量子数、层间交换耦合、各向异性参数及温度对双层亚铁磁薄膜磁矩的影响。零温时,层内交换耦合和各向异性不影响薄膜的磁矩。低温时(温度小于等于居里温度的三分之一),当两格点的自旋量子数相等时,薄膜的磁矩不受层间交换耦合的影响,但随各向异性的增加而增加;当两格点的自旋量子数不等时,薄膜的磁矩随层间交换耦合和各向异性的增加而增加。零温时,两格点的自旋偏差(或量子波动)相等。

关键词： 能量最低原理   导体   电容   泛函极值   电荷分布  

摘要： 论证了带电体系"能量最低原理"及其推论,并将其应用于导体电容的分析和估值.通过泛函极值思想和电荷分布试探函数,给出了导体电容的一些性质和估值方法.

关键词： PN结   扩散电流   复合电流   玻尔兹曼常量  

摘要： 使用nA级的微电流源测量了1N4148二极管的微电流伏安特性,分析了二极管PN结的扩散电流和复合电流对伏安特性的影响.通过1N4148二极管与S9014三极管等效PN结的微电流伏安特性相比较,解释了不直接用二极管测量玻尔兹曼常量的原因.

关键词： 螺线管   磁矩   闭合线圈  

摘要： 非理想情况下通电螺线管的磁矩属于非平面磁矩,利用非平面磁矩的计算公式对其他情况进行应用,并且对结论进行了讨论.

关键词： 铁磁体   半导体(绝缘体)   铁磁体异质结   Rashba自旋轨道耦合强度   渡越时间   磁矩  

摘要： 在群速度概念的基础上,研究了自旋极化电子隧穿通过铁磁体/半导体(绝缘体)/铁磁体异质结时,渡越时间随两端铁磁层中磁矩夹角变化的关系.研究结果表明:当中间层为半导体层时,由于半导体层中的Rashba自旋轨道耦合强度的影响,自旋向上电子和自旋向下电子的渡越时间差会在两铁磁层相对磁矩夹角为π/2和3π/2附近出现一个极小值.当中间层为绝缘体层时,势垒高度的变化会导致不同取向的自旋极化电子渡越时间差的变化,并当势垒高度超过一临界值时发生翻转.

关键词： 核酸碱基   互变异构体   密度泛函计算   电子亲和能   电离能   质子亲和能  

摘要： 核酸碱基是DNA及RNA分子的重要组成部分,在基因遗传信息的传递方面起着主导作用.核酸碱基存在多种互变异构体,它们在DNA及RNA分子中主要以最稳定的异构体形式存在,但是在气相或凝聚相中也有少量的其他异构体形式存在.核酸碱基的稀有互变异构体往往能够引起碱基对的错配对,这可能会导致DNA及RNA分子形成不规则的结构,并进一步导致DNA或RNA双螺旋的自发突变.因此,对核酸碱基的互变异构体进行系统的研究,有助于人们深入认识DNA和RNA分子的结构和性质.国际上有很多研究小组已经通过实验和理论对核酸碱基互变异构体的结构、相对能量及其性质进行了研究.本文对文献中有关核酸碱基互变异构体的实验和理论研究进行了综述.在对前人研究进行归纳总结的基础上,我们利用密度泛函计算对核酸碱基的互变异构体进行了排序,得到的最优异构体结构参数和相对能量与实验值相比较为一致.此外,因为核酸碱基的物理化学性质可以为生物、化学、材料等方面的研究提供重要的基础性信息,因此我们还对它们的电子亲和能、电离能、质子亲和能等研究进行了总结.

关键词： PN结   温度   扩散电流   结电压  

摘要： 在FD-PN-4型PN结物理特性测定仪上测定了27～75 ℃温度下接成共基极线路的TIP3型硅三极管的Ubc与Ube,进一步探究了温度对PN结物理特性及玻尔兹曼常数测定实验的影响.结果表明,温度明显影响了Ubc随Ube变化的速率和变化区间,但Ubc的最大值几乎不随温度变化.而用最小二乘法拟合的Ubc与Ube关系表明,温度在27～65℃间按指数、幂函数拟合的相关系数都｜r｜≥0.99,且十分接近,而27～65℃间按指数函数表征Ubc与Ube关系计算出的玻尔兹曼常数的相对误差都在5％以内.

关键词： AlGaInP   电压电流特性   pn结   简并半导体  

摘要： 针对AlGaInP DH-LED的pn结特性进行了理论分析,得出电流密度J与电压V的关系。通过Matlab进行模拟分析,结果表明:当温度(300 K)一定时,在电压较小的情况下,电流密度成直线形式增大;当电压增大到一定值时,电流密度成对数形式增大;当电压过大时,电流密度几乎不增大。随着电压的升高,器件产生焦耳热增多,影响器件的工作特性,最终缩短LED的寿命。综合考虑,最后得出理论上的最佳发光驱动电压范围为2~2.33 V。