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关键词： 电喷雾离子源   电荷转移能   能量最低原理   样品离子化  

摘要： 电喷雾离子源(electrospray ionization,ESI)不仅可以用于小分子的检测,也能够用于蛋白质、多肽等大分子的研究。本文通过对离子化过程的系统分析,提出了基于能量最低原理的离子化过程能量转移理论。样品分子在由液相转移到气相形成离子化气体的过程中受到静电力、分子间的范德华力等多种力的作用。样品的离子化是多种力共同作用的结果,在不同的离子化阶段,不同形式的力的作用也不尽相同。电荷在样品表面蒸发和多电荷离子的形成之间存在竞争。对不同结构的分子,分子形态、构象改变导致的两相间转移Gibbs自由能变化不同,可能导致离子蒸发、大分子形成多电荷离子、产生链弹射等行为。离子化能量转移理论不仅能够对已有的3种理论加以简化统一,也可以说明溶剂、电解质离子等在离子化过程中的作用,为优化不同结构与形态样品的质谱检测、了解离子化的真实过程提供了一种可能的依据。

关键词： 旋轨耦合   运动方程耦合簇方法   电离能   硫族铅化物  

摘要： 采用我们最近发展的含旋轨耦合的运动方程耦合簇计算电离能(EOMIP-CC)方法,在CCSD级别上计算了硫族铅化物PbS、PbSe、PbTe阳离子低电子态的平衡键长和谐振频率以及绝热和垂直电离能,得到的结果与已有的实验值吻合较好.不考虑旋轨耦合(SOC)的情况下通过与CCSD(T)的计算结果比较,考察了三重激发对计算结果的影响,结果显示考虑三重激发的贡献后得到的键长和频率结果与实验值吻合更好.计算结果表明PbTe+中2Π态的能量分裂明显大于PbS+和PbSe+中2Π态的能量分裂,但是PbTe+中2Π1/2和2Σ1/2态之间的相互耦合则明显弱于PbS+和PbSe+中这两个态之间的耦合.PbTe+中2Π1/2和2Σ1/2态之间耦合很弱,一方面是因为2Σ+态和2Π态的能量差比PbS+和PbSe+中2Σ+态和2Π态的能量差大,另一方面还由于PbTe+中2Π1/2和2Σ1/2态之间的旋轨耦合矩阵元只是PbS+和PbSe+中2Π1/2和2Σ1/2态之间的旋轨耦合矩阵元的一半.这些计算结果为PbS+、PbSe+、PbTe+阳离子的低电子态性质提供了新的理论数据,可以为将来的实验数据提供参考.

关键词： PN结   电子电荷量   PN结物理特性综合实验仪  

摘要： 电子电荷量是一个极为重要的基本物理量,对它的精确测定有着非常重要的意义。基于PN结物理特性综合实验仪,利用PN结正向电流随正向电压按指数变化的规律,把波尔茨曼常量作为已知值,测量出三极管发射极和基极之间的电压值,结合最小二乘法进行线性拟合,精确地计算和测量出了电子的电荷量。该方法的测量原理清楚、实验设备简单、操作方便,从测量结果可知,所测电子电荷量与标准值相比,其相对误差较小,说明测量结果准确,实验方案确实可行,具有一定的应用价值。

关键词： VDMOS   工艺平台   元胞   主结   终端结构   分压环   场板   空间电荷区   PN结   EAS  

摘要： 该文从国内生产线的实际出发,简单介绍了目前国内主流功率VDMOS器件生产厂家所采用的平面高压VDMOS工艺平台,初步总结了当前各种成熟工艺平台具有的特点与优点,希望该文有助于国内同行之间相互借鉴与提高,目的是促进民族工业不断向前发展。

关键词： 领导干部   节面   春节期间  

摘要： 春节素有“年关”之称，旧时穷苦百姓一到岁未，通常要为催租逼债犯愁，过年犹如“过关”一般新社会已经没有这个问题了，不过随着时代变迁，“年关”发生了嬗变．出现了一些新问题，春节期间，领导干部面临着过“四关”

关键词： 功率器件   热阻   温度系数   电学法   PN结  

摘要： 对功率VDMOS源漏间寄生PN结正向结电压VDS随温度变化的特性进行了测量,发现VDS与结温T存在良好的线性关系,通过理论推导进行了分析验证。同时发现,温度系数α=dVDS/dT与测试电流IF满足指数关系;且VDS-T线性曲线在不同的IF下具有聚焦特性,即在绝对零度时,不同IF下的VDS具有相同的值。经过对试验点的拟合分析,得到新的VDS表达式,很好地解释了VDS-T曲线与IF的关系及其在不同IF下的聚焦特性。该研究有利于实现结温的精确测量,保证热阻测试结果更加准确可靠,为器件的热特性分析提供强有力的依据。

关键词： NiO   pn结   磁控溅射   整流特性  

摘要： 利用磁控溅射方法成功制备了Si/NiO异质pn结。实验表明,退火温度升到400℃时,Si/NiO异质结呈现一定的整流特性;600℃退火的Si/NiO异质结呈现很好的整流特性,正向开启电压达到3.5V,-7V时出现漏电流。这可能是因为600℃退火后,样品结晶转好,应力释放,缺陷减少,从而改善了样品的整流特性。这一结果得到了X射线衍射(XRD)、原子显微镜(AFM)和紫外(UV)结果的充分支持。

关键词： 易错点   力和运动   合外力   摩擦力   重心位置   能量最低原理  

摘要： 在处理力学问题时,首先要解决的就是对相互作用中相关力的分析,尤其是力的方向和作用效果.以下,是笔者对在教学过程中发现的学生在练习中容易犯错的几个例题的分析和总结.【例1】下列四图中物体重心位置一直降低的是()A.将竖立的砖头B.水从玻璃杯底部推倒的过程的小孔流出的过程C.跳台跳水运动D.将天花板下悬挂员跳水的过程的铁链下端用手往下拉的过程易错分析:错选B的原因,(1)对决定物体重心位置的因素掌握不牢;(2)没有注意到容器

关键词： 密度泛函理论   铁酸镓   电子结构   磁矩   光学性质  

摘要： 多铁材料是一种新型多功能材料，其在多功能电子设备、传感器和数据存储等领域都有着广阔的应用前景。在众多的多铁材料中，GaFeO3(GFO)由于具有较高的居里温度，实际应用性强，而引起了各国学者的广泛关注。近年来对GFO进行研究发现其存在一些缺陷，从而影响了实际的应用，如单相GFO材料表现出的反铁磁性使其在磁性存储方面的应用受限。改善GFO性能的通常做法是选择合适的阳离子在“A”或“B”位进行掺杂或取代。相关的实验研究报道颇多，但有关掺杂或取代的理论研究比较少。第一性原理计算方法是一种用于研究和预测材料的电子结构、光学和磁性等方面的性能的有力理论研究工具。 本文利用基于密度泛函理论的赝势平面波第一性原理方法，计算了Co、Zn在“B”位、Al在“A”位掺杂GFO材料的电子结构、光学性质和磁性能。取得的主要结果如下： 1）对纯GFO材料的结构和性能进行研究，结果显示GFO结构参数的理论计算值与实验值符合得很好。GFO材料为反铁磁结构，晶胞净磁矩为零，材料的Fe-O键和Ga-O键为既具有离子性，又具有共价性的混合键，且Ga-O的共价性较Fe-O键更强。 2）用Co进行不同含量掺杂，研究了GaCoxFe1-xO3(x=0,0.125,0.25,0.5)(GCFO)材料的结构参数，磁矩和光学性质等。结果显示GCFO的晶格参数、体积、原子坐标等与GFO基本一致，材料保持钙钛矿结构及较强铁电性。GCFO为新的亚铁磁结构，对于掺杂量x=0.125,0.25和0.5，其净磁矩分别为-0.96μB，-2μB和-4μB，材料表现出较强铁磁性。与GFO相比，GCFO具有更高的介电性能。GCFO的化学键也是具有离子性的共价键。 3）采用等量的Al和Zn对GFO进行掺杂得到Al0.125Ga0.875FeO3和GaZn0.125Fe0.875O3两种材料，并对它们的电子结构、磁性和光学性能进行了研究。发现Al和Zn掺杂不影响GFO材料的钙钛矿结构。Al的掺入增大了材料的带隙，提高了铁电性，但不改变GFO材料的反铁磁性，晶胞净磁矩仍为零。Zn掺杂使得带隙明显减小，但破坏了GFO原有的反铁磁性，形成了新的亚铁磁结构，晶胞净磁矩为-3.98μB，铁磁性增强，且比等量的Co元素掺杂对铁磁性的增强效果更明显。

关键词： 电势能   氢原子光谱   光子照射   自由电子   核外电子   电离能   匀速圆周运动   辐射光子   玻尔理论  

摘要： 玻尔的氢原子理论,把量子观念引入到原子系统中,很好地解释了氢原子和类氢原子光谱,是经典物理向量子力学过渡的一个跳板,也是今后学习现代物理的基础。原子的能级跃迁及其光子的发射和吸收,成为高考的热点已是不争的事实。而在学习《玻尔的原子模型》一节时,学生常常因为一些概念理解不清而造成错解,现将几个典型问题归纳一下,便于大家更好的学习。一、跃迁时电子动能、势能与原子能量的变化原子中原子核带电量为+Ze,核外电子带电量为-e,