关键词:
磁光
四面体
多面体
抵消点
克尔
BCVIG
Fe
磁矩
晶形
单晶
跃迁
助熔剂法
磁性器件
磁光器件
晶种
晶格
摘要:
我们测量了分子式为{Bi3-2xCa2x}[Fc2-yIny](Fe3xVx)O12的铁石榴石单晶(简记为代In的BCVIG)在0.45—0.80μm内的饱和极向磁光克尔旋转谱。在0.47μm附近观察到一个强的旋转峰值。通过改变In,V(Bi)的替代量获得了室温下磁矩抵消点附近0.47μm磁光旋转值与成份的关系。发现当替代量的变化通过磁矩抵消点时,克尔旋转的符号突然由正变负,但其绝对值并不依替代量趋近磁矩抵消点(总4πMs下降)而逐渐下降。还发现In的代入使磁光旋转有所增强,在y≈0.15时增强最大。借助总磁光旋转为Bi增强了的次点阵磁光旋转迭加的模型解释了代In引起的旋转增强。按此拟合实验结果导出了0.47μm下四、八面体次晶格旋转系数之比为α4/α8≈1.5即单位Fe3+在四面体比在八面体对磁光旋转的贡献大。实验结果还表明,在x<1.0的配方区,并有小量In代入(y<0.15)时可望得到大磁光旋转材料。考虑到低而可变的4πMs,高的居里点和相当大的磁光旋转,该配方区的代In的BCVIG在磁光各种应用中将是强有力的竞争者。