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关键词： 供体分子   电荷迁移   电离能   氢键力   苯佐卡因   局部麻醉药   CTC   水杨酸钠   电子亲合能   电子亲合势   苯甲酸钠   取代苯类杀菌剂   药物配伍   受体分子   络合物   配位化合物   助溶剂  

摘要： 量子化学的发展,对分子间作用力的解释已由经验式逐步提高到半定量或定量阶段。电荷迁移络合物是一种分子键化合物,键能一般为1～10仟卡/摩尔。许多生物化学及化学现象都与电荷迁移络合物的形成有关。1950年Mullikin把在一定条件下分子间的相互作用,即电子从电子供体分子转移到电子受体分子(以下简称供体与受体)

关键词： 多原子分子   电子能级   电离能   计算程序   SCF   总能量  

摘要： 用自编的SCF-SW-X_(a)计算程序,计算MnO_(4)^(-)和CH_(4)分子的电子能级、光谱、电离能和总能量,结果令人满意。

关键词： 重叠积分   配位   多面体   电子组态   成键轨道   稳定化能   配位络合物   立体几何   中心离子   配位结构   分子   化合物  

摘要： 本文对高配位数(八配位和十二配位)的络合物分子的群重叠积分的计算,得出这些配位络合物的稳定构型与群重叠积分平方的总和及中心离子的电子组态的依赖关系。并初步揭示了许多结构多面体和配位多面体分子具有交错面或由两个多面体交错叠合的性质。

关键词： 电子云   普通化学   原子半径   量子数   价电子   工科大学   量子力学   角度分布图   电子组态   能量最低原理   子波函数  

摘要： 本文对工科大学原子结构部分的教材更新与教学法问题提出了一些看法.结合教学实践着重探讨了怎样在量子力学一些概念的基础上进行波函数、四个量子数、原子的电子构型和原子结构对元素性质影响的教学.

关键词： 原子轨道   EHMO   晶格常数   总能量   激发态   点阵参数   能级   电子态密度   价电子  

摘要： 本文讨论Si集团的EHMO计算.适当选择参数k可使集团总能量当晶格常数a=5.42A|°(即硅的晶格常数)时为最小.在基函数中引进Si-3d轨道后,便可改进集团计算的禁带宽度.

关键词： 氧化镁单晶   吸收光谱   电子组态  

摘要： 将2800℃中生长的高纯度无色透明的氧化镁单晶淹埋于氧化镍中,利用高温扩散法获得MgO∶Ni2单晶光谱样品。由于镍离子在高温中扩散进入晶格位,故所获得的单晶样品呈透明黄绿色。利用 UV—360吸收分光光度计和 PMQ3荧光分光光度计在0.20～2.5μm 光谱范围内测量了纯 MgO 单晶和 MgO∶Ni2+单晶的吸收光谱、荧光光谱和荧光激发光谱。测量结果表明:上述方法制备的 MgO∶Ni2单晶样品,在红外波段,掺杂 Ni2离子发出—强度强、频谱宽的荧光,其峰值位于7250Cm-1（1.38μm）处,半宽度达1500Cm-1)（3000（?））。文中还从弱场近似和强场近似两种图象,导出了 Ni2离子在正八面体配位场中不计自旋

关键词： 松潘   最大主压应力   应力场   地震   节面   波初动   震源区   主压应力轴   震源机制   方向特征   平武   四川省  

摘要： 本文应用1966—1976期间,甘肃南部和四川北部地区地震P波初动方向资料,求出平均节面解,据此推断松潘—平武7.2级地震前,孕震应力场的最大主压应力方向为近东西向。但由松潘台资料所得最大主压应力轴的方向,在震前显示出近90°的转动。 由余震资料所得释放应力场的最大主压应力方向,亦为近东西向。

关键词： 光电子能谱学   定域化   电离能   相关图   散布图   分子轨道理论   电子结构   PES  

摘要： 光电子能谱是研究分子,离子以及固体表面的电子结构最为有效的工具。在化学领域内特别是自Woodward—Hoffmann对称性守恒原理问世之后,有机化学家特别热衷于研究分子中轨道的对称性及其电离能。运用光电子能谱,特别是UV—PES的结果并借助分子轨道理论模型人们已成功地建立起一个新的领域——有机光电子能谱学。 针对较大有机分子的复杂性,文中着重讨论了有机光电子能谱独具的特点以及相应的处理方法。其中重点介绍了定域化分子轨道模型对有机光电子能谱的应用。在此基础上列举了一些典型谱图并做了扼要的解析。

关键词： 电离能   电子   CNDO   轻子   光电发射能谱   光电子能谱   尼克酸   烟酸   同型物   类似物  

摘要： 本文首先用CNDO/2程序计算了烟酸及四个类似分子的电子结构,求得各级垂直电离能与实验值的偏差达2～4 eV(见表1).烟酸及其类似物电离能之间的变化规律也与实验结果不一致(见图1).我们把Asbrink等最近提出的一种新的自洽场分子轨道近似计算法(代

关键词： 深能级杂质   费米能级   DLTS   结电容   势垒电容   电离能   空穴   载流子(半导体)   杂质浓度   半导体器件   电子设备   发射率  

摘要： 半导体中深能级杂质对半导体材料的物理性质和半导体器件的性能有重要影响。本文概述了近年来应用势垒电容研究半导体中深能级杂质的一些主要方法,特别是利用含有深能级杂质的p—n结(或Schottky 结)电容与时间有关的瞬态电容法,并且讨论了解释这些测量结果的理论模型。研究深能级杂质的 DLTS 法能比较迅速、精确地测定深能级杂质的多种参数,在此基础上进一步改进,从而提高测量精度。