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关键词： 密度泛函理论   金属掺杂的硅团簇   几何结构   电子亲和能   电离能  

摘要： 利用密度泛函理论(DFT)研究3d过渡金属掺杂硅团簇的几何结构和稳定性,计算了绝热电子亲和能和垂直电离能,内嵌双金属间距,自旋磁矩等.结果表明内嵌的Sc、Ti、V、Mn金属二聚体和十二面体硅笼构成了稳定的富勒烯结构,随着d电子数目的增加其内嵌的富勒烯构型有部分畸变,总体而言Si20团簇掺杂双金属后稳定性得到了提高.

关键词： 稀磁半导体   ZnO   电子结构   磁矩   溶胶凝胶  

摘要： 为探寻ZnO稀磁半导体材料的室温铁磁性来源,采用溶胶凝胶法制备掺Mn量为0、1%、2%和3%的ZnO粉体,利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱仪以及振动样品磁强计,研究粉体的形貌特征、物相、电子结构以及室温磁性能。结果表明:掺Mn可使粉体粒度减小;Mn以离子形式取代Zn的位置,保持了本征ZnO的六方纤锌矿结构,无第二相形成;掺Mn形成的Zn—Mn键和Mn—O—Mn键改变了本征ZnO的缺陷结构,从而导致磁性变化;样品中的氧空位浓度决定ZnO的室温铁磁性;掺Mn量为1%时为最优掺入量,具有最大的饱和磁矩22.599×10^?2 emu/g。

关键词： 电子亲和能   结构与性质   中心原子   分子构型   晶体结构   原子结构   晶体类型   高考试题  

摘要： 近年来"物质结构与性质"高考试题为选考题,作为"拼盘"命制的题型,各小题之间相对独立,主要考查原子结构与性质、分子结构与性质、晶体结构与性质。主要涉及的考点有:在原子结构部分主要命题点有核外电子排布式或排布图的书写,电离能、电负性大小的比较与判断,电子亲和能的变化规律;在分子结构部分主要命题点有化学键类型的判断,分子构型的判断,中心原子杂化方式的判断;在晶体结构部分主要命题点有晶体类型的判断,晶体熔沸点的判断,晶体结构的计算等。

关键词： MATLAB   PN结   电荷量  

摘要： 本文从PN结V-I特性实验数据处理出发,采用了最小二乘法将实验数据分别带入乘幂回归、指数回归两种常用的回归函数中,结合MATLAB编程对实验数据进行处理,得到了各回归曲线方程、相关系数及回归方程方差,根据相关性最好的回归方程计算电子电荷量,将所得实验电子电荷量与标准值进行对比,误差仅为0.15%,得到了较为精确的电子电荷量。

关键词： 团簇Fe3Cr3   电子自旋   磁矩   磁性   密度泛函理论  

摘要： 本文设计了团簇Fe3Cr3理论模型并对非晶态合金Fe-Cr二元体系进行模拟,以密度泛函理论为基础在Gaussian09程序中选用B3LYP/Lanl2dz方法对初始构型进行优化计算,最终确定8种三重态优化构型.从电子自旋角度先后对成单电子分布情况及电子自旋磁矩展开研究,以此对团簇各构型的磁学性质进行细致分析.结果表明:d轨道上的成单α电子是电子自旋磁矩与磁性的主要贡献者;s与p轨道上的异自旋方向成单电子在一定程度上会削弱构型的稳定性;另外,本文从微观角度证明过渡金属Cr对构型磁矩的贡献最大从而对团簇磁性的影响也最大,继而对已有的“Cr的含量多少会对非晶态合金Fe-Cr的磁性强弱产生极大影响”宏观研究提供了理论支撑与解释.

关键词： 非晶合金   价电子结构   EET理论   磁矩  

摘要： 采用熔体旋淬法制备了(Fe0.76Si0.096B0.084P0.06)100-xCux(x=0,0.1,0.3,0.5)非晶合金,使用X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)和振动样品磁强计(VSM))对其进行表征,结果表明,制备的急冷条带均为非晶态。利用固体与分子经验电子理论,从价电子层次上计算了(Fe0.76Si0.096B0.084P0.06)100-xCux(x=0,0.1,0.3,0.5)非晶合金的价电子结构和磁矩,磁矩的理论计算值163.918、163.692、163.231、162.800 emu/g与实验值160.1、159.0、155.6和153.3 emu/g的误差均小于10%。为新的合金成分设计提供了一种新思路。

关键词： 元素周期律   构造原理   能量最低原理  

摘要： 由门捷列夫元素周期表到现代元素周期律的发展,将人们的关注点从元素化学性质相似性的宏观考量转移到原子电子组态周期性递变的微观探析上来。对原子核外电子排布"构造原理"的产生、发展及其作用展开讨论,尝试对元素周期律的微观本质进行探析。

关键词： 真空紫外光电离质谱   同步辐射   微波放电   氟原子   二氧化硅   电离能  

摘要： 采用微波放电等离子体源产生高密度F原子,结合同步辐射真空紫外光电离质谱全面检测F原子在二氧化硅表面刻蚀反应的产物,并探究其反应机理。通过扫描同步辐射光子能量,获得具有特定质量选择的离子光电离效率谱,测量了反应产物的电离能及碎片离子的出现势等基本参数;同时结合量子化学理论计算质谱中离子的来源,即对光电离和光解离过程进行了区分。结果表明,F原子在二氧化硅表面会反应生成一系列的氟氧硅化合物(SixOyFz),主要包括SiF4、SiF 3OSiF 3和SiFOSiF 2OF等,质谱中观察到的SiF3^+、SiF3OSiF2^+等离子信号来源于其对应母体离子的解离碎片。实验测得SiF 4的电离能为15.85 eV,SiF3^+和SiF 3OSiF2^+碎片离子的出现势分别为16.20、16.40 eV。该方法实现了高效检测F原子刻蚀反应的产物,由于F原子具有较高的化学反应活性,该实验装置也可用于开展气相自由基反应研究,模拟大气化学和燃烧火焰等体系中的化学反应过程。

关键词： PN结   单向导电性   伏安特性   电流方程  

摘要： 本文首先介绍了PN结的概念,其次对PN结的单向导电性进行了分析,在此基础上提出了二极管的伏安特性及电流方程。

关键词： 电磁干扰   磁共振   磁矩   磁体系统   梯度系统   射频系统  

摘要： 电磁干扰(Electromagnetic Interference,EMI)是干扰电缆信号并降低信号完好性的电子噪音,电磁干扰简称EMI.电磁干扰是人们早就发现的电磁现象,它几乎和电磁效应的现象同时被发现. 电磁干扰传播途径一般也分为两种:即传导耦合方式和辐射耦合方式.消除电磁干扰的方法也有很多种,主要也是消除干扰源,切断干扰途径.笔者一次在维修中,深切体会电磁干扰对设备造成的影响和排查的困难,在此分享经验供同行参考.