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关键词： 金属玻璃   团簇模型   Friedel振荡   价电子   Laves相  

关键词： 价层电子对互斥理论   孤电子对   中心原子   立体构型   排斥力   分子的几何构型   键角   价电子  

摘要： 一、价层电子对互斥理论1.基本原理。价层电子对互斥理论在讨论分子的几何构型时,可以从中心原子的价电子对着手,价层电子对彼此相距最远时,排斥力最小,体系的能量最低。孤电子对间的排斥力较大,若孤电子对越多,则排斥力越强,键角越小。

关键词： 永磁体   磁矩   涡流   阻尼运动  

摘要： 定量研究小磁体在金属管中下落的运动规律,给出了相关理论公式,设计实验并测量了小磁体的下落速度、小磁体磁矩和金属管电阻率等物理参量.

关键词： 元素周期表   金属钯   核外电子排布   稀有气体   问题的提出   教材内容   价电子   无机化学教材  

摘要： 一、问题的提出在新课讲到"元素周期表及其应用"时,学生对教材内容的一句话"同一周期元素(稀有气体元素除外)的原子核外电子层数相同"提出了疑惑,元素周期表中金属钯原子的价电子为4d^(10),也就是说金属钯原子虽然处于第5周期,但它原子核外只有4个电子层,且第4层电子数多达18个。查阅无机化学教材发现金属钯的价电子也为4d^(10),在第5周期18种元素中确实有点突兀。

关键词： MoS_(2)/WSe_(2)   pn结   机械剥离转移法   二维范德华异质结构   光电探测器   过渡金属硫族化合物  

摘要： 近年来基于二维半导体过渡金属硫族化合物如MoS_(2)的光电晶体管被广泛研究。虽然基于单层MoS_(2)的光电探测器表现出较高的响应度,但是其较低的载流子迁移率也限制了响应时间,约在秒量级。二维半导体的相互堆垛可以形成具有低缺陷态且空间均匀的范德华异质结构,是提高二维光电探测器性能的有效途径。基于此本文通过机械剥离转移法构筑MoS_(2)/WSe_(2)垂直pn异质结,其较强的空间电荷区能有效地分离光生载流子,所以在自驱动状态下仍具有较好的光电探测能力,光响应度和探测率分别达到2.12×10^(3) A/W和2.33×10^(11) Jones,同时极大地缩短了响应时间,响应时间达到40 ms。这种二维异质结器件制备方法简易,性能优异,在光电子领域具有广阔的应用前景。

关键词： 光谱学   电离能   密度泛函理论   光电离   电子激发态  

摘要： 应用密度泛函理论对BCl_(3)^(+)离子C^(2)A″_(2)态的电子能谱进行了深入研究。在aug-cc-pvtz基组下,分别使用PBE0、ωB97XD、M06-2X三种泛函优化了中性BCl_(3)分子、BCl_(3)^(+)离子基态X_(2)A′_(2)以及C^(2)A″_(2)态的分子结构,并计算了相应振动频率和电离过程BCl_(3)(X^(1)A_(1))→BCl_(3)^(+)(C^(2)A″_(2))跃迁的Franck-Condon因子,从而得到了该跃迁对应的拟合电子能谱。通过与已有的高分辨实验电子能谱对比,实现了BCl_(3)^(+)离子C^(2)A″_(2)态实验光谱的高精度光谱拟合,进而对实验振动序列做了清晰可靠的归属,得到BCl+3离子C^(2)A″_(2)态的绝热电离能AIE、垂直电离能VIE分别为(14.298±0.028)eV、(14.405±0.028)eV,从而修正了已报道电离能的错误数据。

关键词： PN结   伏安特性   差分放大器   数模转换器   单片机控制器  

摘要： 目前,我国在新工科所涉及的芯片自主研发与制造方面还存在诸多短板。PN结是芯片设计与芯片制造的基本元件。为了促进半导体和芯片类专业技术人才培养,我们设计开发了PN结伏安特性测量实验装置,并用于大学物理实验教学实践。通过该实验装置的学习与应用实践加深了学生对PN结特性的理解,提升了工程素养和实践创新能力。

关键词： 碲镉汞(HgCdTe)   PN结   激光束诱导电流(LBIC)   飞秒激光打孔   脉冲时间  

摘要： 飞秒激光对碲镉汞(HgCdTe)材料刻蚀形成PN结。文章进行了飞秒激光刻蚀试验,使用1 kHz飞秒激光在P型HgCdTe上刻蚀形成线刻蚀区域,并采用激光束诱导电流(laser beam induced current,LBIC)技术对刻蚀区域进行光电流性质探测。试验结果表明,LBIC扫描信号的峰形表现出明显的方向性,刻线两侧的光电流信号存在明显差异。

关键词： GaInP   有序度   三结太阳电池   PN结   电流密度  

摘要： 基于不同有序度的GalnP材料制备出高/低带隙的发射区/基区结构被称之为同材料类异质结结构,其产生的特殊能带结构可以提高太阳电池效率。通过生长条件的优化,验证了GaInP材料的有序度变小,材料带隙从优化前1.868 eV提高到1.898 eV。采用该工艺条件制造了具有对应有序度的GalnP材料,分别作为GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池顶子电池的发射区/基区。测试结果表明,与参照电池比较,新结构太阳电池光照电流电压(LIV)特性参数在电流密度方面获得了明显的提高。

关键词： MnXXIII离子   电离能   跃迁波长  

摘要： 采用全实加关联方法研究了高离化MnXXIII离子1s^(2)nl(l=s,p)态的能量,研究了1s^(2)n′s(2≤n′≤5)态-1s^(2)np(2≤n≤9)态之间的跃迁能和跃迁波长,将本次研究得到的计算结果与已有的实验数据和理论数据进行比对,发现它们之间具有相当高的一致性。在本次研究中,考虑了高阶相对论效应的贡献来提高计算的精度。将全实加关联方法电离能的结果与半经验电离能结果进行比较,由此推断出用作为能量的缓变函数的量子亏损,可以实现对任意高激发态(n≥10)能量的可靠预言。