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关键词： 反磁回路   电子束半径   磁矩   直线感应加速器  

摘要： 反磁回路(Diamagnetic loop，DML)诊断强流脉冲电子束半径是一种可在线诊断技术，它利用一个环绕电子束并与其同轴的反磁回路通过电磁感应测量该电子束的磁矩，从而在某些易于满足的条件下推得该电子束的均方根半径。这种诊断技术与其它方法(如三梯度法)相配合还可以同时在线诊断强流脉冲电子束的发射度、束包络斜率等参数。本文介绍了反磁回路诊断束半径的原理和应用、反磁回路的设计和标定，以及用密绕螺线管线圈模拟电子束诊断实验和结果。

关键词： 锂原子   原子实   价电子   微扰   能级  

摘要： 对锂原子计算价电子受原子实作用的势能时,考虑原子实在价电子作用下的极化效应。以-eτ4πε0r2为微扰,运用简并微扰论计算价电子的能量值,并由锂原子光谱所得较低能级原子实偶极矩τ的实验值,得出τ与量子数l有关,从而定出较高能级的值,画出能级图。证实锂原子价电子对原子实的极化和"贯穿"是存在的。

关键词： 激光技术   激光测距   漂移误差   自触发脉冲   PN结  

摘要： 光脉冲接收是脉冲激光测距的关键技术之一。稳定有效地探测反射激光脉冲信号和提高脉冲激光测距仪的环境抗干扰能力 ,是光脉冲接收技术需解决的主要问题。对 PIN光电二极管的光探测过程进行了理论分析。指出PIN管中的光生载流子和耗尽层电荷的相互作用导致了耗尽层宽度的改变 ,进而引起 PIN管的光接收响应时间的变化。结合半导体基本理论 ,构建了相应的 PIN管光探测过程理论模型 ,定义两个描述 PIN结性能的特征参数 :单位光功率敏感度 K和单位时间抖动Δτp 0 ,进一步给出了 PIN管的光响应时间及其抖动大小与光照强度的近似函数关系。该理论模型成功用于解释自触发脉冲激光测距中的漂移误差现象 ,经过对实验现象和相应实验结果的定性分析 ,验证了理论分析的正确性。

关键词： 光学晶格   强关联量子体系   过冷原子Tonks-Gurardeau气   泡利不相容原理   玻色子  

关键词： 伊辛模型   相关有效场理论   磁矩   双层超晶格  

摘要： 运用相关有效场理论推导出双层超晶格伊辛模型磁矩的计算公式,然后对蜂窝结构和正方结构模型的磁矩做了进一步的数值计算,并绘出相应的磁矩曲线,得到磁矩变化规律·

关键词： 磁矩   磁矩测量   卫星磁矩   卫星磁矩测量  

摘要： 双星是我国与欧空局合作的科学探测卫星“TC-1”和“TC-2”．星上安装的探测仪器其中有磁强计和低能粒子探测器，它们要求卫星的磁性对它们的影响小．对整星的磁矩要求为643 mA·m^2，对星上的各种部件(包括仪器和设备)也提出了磁设计标准，大部分部件的磁矩要求为5 mA·m^2以下．因此各仪器设备安装到星上之前，都要进行磁性测量控制，以满足整星的磁要求．本文介绍了星上的磁性来源(剩磁、感磁和电流引起的杂散磁场)、磁测的设备(屏蔽筒和螺线管线圈，磁强计及磁强计用小型无磁性转台，平台和导轨，充、退磁线圈，充、退磁电源，特斯拉计，无磁性转台，标准磁矩磁铁，补偿磁铁)和磁测的方法．

关键词： 含钕石榴石   多重态耦合   磁矩   Faraday旋转  

摘要： 应用量子理论计算了Nd :YIG中Nd3 + 离子基态多重态耦合对磁矩与磁光效应的影响。计算结果显示 ,当较高能级的多重态被考虑进来后 ,离子基态的能级分布与状态波函数要发生改变 ,从而对离子磁矩与Faraday偏转产生影响 ;多重态耦合对磁矩的影响不大 ,但对Faraday偏转的影响较大 。

关键词： 磁矩   正则分布   磁化强度   磁化率  

摘要： 介绍一种解释物质抗磁性的经典统计方法.

关键词： Ag团簇   密度泛函理论   几何结构   原子化能   电子亲和能   电离势   费米能级  

摘要： 应用密度泛函理论中B3LYP/LANL2DZ方法优化计算并分析了Agn(n=2～10)团簇的基态几何结构及电子性质。同时计算和讨论了银团簇的原子化能、能级分布、能级间隙、电子亲和能和电离势,所得理论计算值与实验值符合较好。研究结果表明:银小团簇的结构不同于块体,且随团簇尺寸大小而相应变化,原子化能和电子亲和势随原子尺寸的增加而增加,团簇的费米能级、电子亲和势和电离势随团簇大小变化具有明显的奇偶振荡特性,并对此作了分析。团簇的电子性质和几何结构之间的密切关系及其随团簇尺寸大小变化的规律,可以从理论上确定团簇的最稳定结构,并可对实验观测结果做出解释。

关键词： 高密度聚乙烯   土壤   电解电容   PN结  

摘要： 利用高压直流电法进行了填埋场人工合成衬层漏洞检测,当供电电压为400,350,300V时,改变供电方向,地电模型表现出不同的电学特征.结果表明,由于高密度聚乙烯和土壤充分接触,在其接触面上形成类似于PN结的导电膜.当膜下电极为负时,模型所表现出的容性特征远超过当膜下电极为正时所表现出的容性特征.探讨了这种导电膜的形成和机理,并得出电容的大小将随着衬层面积以及电压的增加而增长的结论.