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关键词： 异构化   量子化学   电离能   反应进程   能量过渡态   结构过渡态   卤素硫代氰酸盐   紫外光电子能谱  

摘要： 捕获得到了纯净化合物ClSCN和BrSCN紫外光电子能谱图 ,OVGF方法计算的ClSCN和BrSCN的电离能与实验值吻合很好 ,并用该方法首次预测了ClNCS和BrNCS的电离能 .讨论了XNCS→XSCN (X =Cl ,Br)的异构化过程 ,首次优化得到了四元环过渡态的构型 .着重从电子密度拓扑分析计算了反应进程中的各点 ,讨论了反应进程中键的断裂和生成 ,上述反应都经历了三元环过渡结构 ,找到了这类反应的“能量过渡态”和“结构过渡态”

关键词： 磁矩   感生电场   角速度   抗磁性  

摘要： 介质中的电子在外磁场的作用下,其绕核的轨道运动将发生变化,产生附加磁矩。本文讨论了在不同方向的外磁场作用下,电子的附加磁矩的方向均与磁场方向相反,由此导出介质的杭磁性起源于电子的附加磁矩。

关键词： 海洋磁力测量   铁磁体   磁矩   海面磁场   等值线图  

摘要： 海面磁场等值线图是海洋磁探测的最基本图件,从中可以确定水下铁磁体的位置所在。为研究水下铁磁体的海面等值线图特征,将铁磁体磁矩分解为水平磁矩与垂直磁矩,分别求出各自的海面磁场计算公式,然后进行合成得到水下铁磁体海面磁场的计算公式。

关键词： 巨磁阻抗效应   Mossbauer谱   Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9薄膜   磁矩  

摘要： 本文采用 M?ssbauer 谱学方法以及其它手段对 FeCuNbSiB 薄膜样品在退火过程中出现的巨磁阻抗效应发生显著变化的原因进行了探讨。研究表明,样品在退火过程中除了生长纳米晶粒α ? FeSi相对提高材料的软磁性能有利外,同时随退火温度变化样品中磁矩分布方向会发生重取向。由制备态到 570 ℃退火温度期间,薄膜样品磁矩取向发生由平行于平面为主变为垂直为主,而后再转变为平行为主。这些因素对多层膜巨磁阻抗效应的变化会产生重要影响,尤其当磁矩在垂直于平面方向分布占优势时,磁阻抗效应会显著下降。

关键词： 半导体器件   少子寿命   体硅   硅片   击穿电压   pn结   硅材料   微颗粒   高纯   工艺  

摘要： 防止硅片被微颗粒污染已成为半导体器件工艺的重要课题。控制金属污染尤为重要，因为它们对半导体器件造成致命损害：金属污染会使pn结的漏电流增大、会降低氧化膜的击穿电压并使体硅材料的少子寿命缩短。

关键词： Flash   动态演示   PN结   医学电子学   医学教育   多媒体教学  

摘要： 本文通过用 Flash5 .0制作《医学电子学》中 PN结的形成过程的介绍 ,在熟悉 Flash5 .0制作方法的同时 ,完成相应的多媒体教学。

关键词： 海洋磁力测量   磁矩   测线系统误差  

摘要： 从海洋地磁背景场特征、测量船船体磁化规律以及测量船与磁力传感器的位置关系出发,建立了船磁影响的计算模型,通过仿真试算,解释了海洋磁力测量的系统误差来源。

关键词： 基态能量   电离能   氦原子   类氦离子  

摘要： 通过对氦原子和类氦离子电离能数据的分析 ,找到了一个能够快速计算类氦体系基态能量的经验公式 ,验算了一些类氦离子 (Z=2— 1 5 )的基态能量 ,与实验测量值符合得很好。除了 Li+和 Be+ +的基态能量的相对偏差为 0 .4 46 %外 ,其他的都低于 0 .4 %。

关键词： 施受   价电子   电导   金属   半导体   绝缘体  

摘要： 金属中相邻原子间交替施受互换价电子是金属键合的基本模式[1].作者据此研究金属、半导体、绝缘体中的施受交换电子结构,并进而探讨这种结构与上述材料导电特性的关系.

关键词： 高能粒子物理学   五夸克态   磁矩   宇称   正角动量  

摘要： 如果将来的实验证实五夸克态Θ+ 5与Ξ- - 5的JP=12+ ,在一些理论模型中 ,JP=32+ 与JP=12+ 的五夸克态必然同时出现 .这些态有可能很快会发现 .我们在不同理论模型中计算了JP=32+ 的五夸克态的磁矩 .